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发布时间 ：2024-02-23 16:44:42
2023年度“中国半导体十大研究进展”
（点击成果名称即可查看详情；排名不分先后）
01
接近衬底级晶体质量的氮化物宽禁带半导体异质外延薄膜
该成果发表于《自然·材料》杂志（Nature Materials, 2023, 22: 853–859）。
高质量AlN外延薄膜控制动力学及其应用。
02
中国科学院半导体研究所李明研究员-祝宁华院士团队借助空-时变换结合波分复用技术，采用多模干涉机理，成功研制了一款超高集成度光学卷积处理芯片，创造了目前光计算芯片最高算力密度记录，该芯片调控单元数量随矩阵规模呈线性增长，有效缓解了光计算芯片规模扩展的难题，为解决光计算芯片大规模集成探索了一个新的方向。
03
该成果发表于《自然》杂志（Nature, 2023, 613: 274–279），同时入选了ESI热点和高被引论文。
04
首例外延高κ栅介质集成型二维鳍式晶体管
该成果发表于《自然》杂志（Nature, 2023, 616: 66–72）。
首例外延高κ栅介质集成型二维鳍式晶体管（2D Bi2O2Se/Bi2SeO5 FinFET）。
05
超越硅极限的弹道二维晶体管
北京大学彭练矛院士、邱晨光研究员团队构筑了10纳米弹道二维硒化铟晶体管，创造性的开发了稀土元素钇掺杂诱导二维相变技术，首次推进二维晶体管实际性能超过业界先进节点硅基Fin晶体管和IRDS预测的硅极限，并且将二维晶体管的工作电压降到0.5 V，室温弹道率达83%，为国际上迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。
该成果发表于《自然》杂志（Nature, 2023, 616: 470–475）。
弹道二维硒化铟晶体管器件结构、性能优势和芯片展望。
06
中国科学院上海微系统与信息技术研究所刘正新、狄增峰团队针对传统单晶硅太阳电池易碎的缺陷，通过介观对称性结构设计，开发了边缘圆滑处理技术，在国际上率先发明了柔性单晶硅太阳电池技术，实现了力学韧性和抗震性的跨越式提升，制备的轻质柔性组件成功应用于临近空间飞行器，将极大地开辟单晶硅太阳电池新的应用领域。
该成果以杂志封面形式发表于《自然》杂志（Nature, 2023, 617: 717–723）。
工业尺寸柔性单晶硅太阳电池。
07
中国科学院上海技术物理研究所红外科学与技术重点实验室胡伟达、苗金水研究团队在国际上首次提出了基于离子-电子耦合效应的感存算一体光电探测器，通过模拟人类视觉感知架构，实现了感知端光电信息处理功能，可解决红外感知分立架构产生的延迟和功耗问题，为大规模硬件集成感存算光电感知芯片及其目标识别应用奠定了基础。
08
清华大学钱鹤、吴华强研究团队在国际上首次实现了全系统集成、支持高效片上学习的忆阻器存算一体芯片，通过一种基于符号和阈值的权重更新算法及硬件架构，解决了传统CMOS电路与忆阻器适配性差的问题，并使芯片在增量学习任务中的功耗仅有传统硬件的1/35，为边缘端人工智能硬件平台提供了一种新的高能效解决方案。
09
清华大学戴琼海、方璐、乔飞、吴嘉敏合作攻关，建立了大规模可重构光电智能计算架构，结合光计算和模拟电子计算技术，突破传统芯片架构中数据转换速度、精度与功耗相互制约的瓶颈，研制了全模拟光电智能计算芯片ACCEL。与现有高性能芯片相比，算力提升千倍，能效提升百万倍。该芯片将在无人系统和智能大模型等实现应用。
该成果发表于《自然》杂志（Nature, 2023, 623: 48–57）。
10
该成果发表于集成电路领域顶级期刊IEEE Journal of Solid–State Circuits（JSSC, Volume: 58, Issue: 1, January 2023）。
可重构数字存算一体AI芯片ReDCIM的显微照片、核心技术、与同期研究对比。
